silicon-gate MOS IC

См. также в других словарях:

• silicon-gate MOS — MOP darinys su silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS; silicon gate MOS structure vok. Siliziumgate MOS Struktur, f rus. МОП структура с кремниевыми затворами, f pranc. structure MOS à grilles de… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• silicon-gate MOS process — MOP darinių su silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS process; silicon gate MOS technology vok. Siliziumgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с кремниевыми затворами, f… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• silicon-gate MOS technology — MOP darinių su silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS process; silicon gate MOS technology vok. Siliziumgate MOS Technik, f rus. технология МОП структур с кремниевыми затворами, f… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• silicon-gate MOS structure — MOP darinys su silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS; silicon gate MOS structure vok. Siliziumgate MOS Struktur, f rus. МОП структура с кремниевыми затворами, f pranc. structure MOS à grilles de… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• silicon-gate MOS transistor — MOP tranzistorius su silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon gate MOS transistor vok. Siliziumgate MOS Transistor, m rus. МОП транзистор с кремниевым затвором, m pranc. transistor MOS à grille de silicium, m …   Radioelektronikos terminų žodynas

• polycrystalline silicon-gate MOS — MOP darinys su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycrystalline silicon gate MOS; polycrystalline silicon gate MOS structure vok. Poly Si Gate MOS Struktur, f; Polysilizium Gate MOS Struktur, f… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• polycrystalline silicon-gate MOS structure — MOP darinys su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycrystalline silicon gate MOS; polycrystalline silicon gate MOS structure vok. Poly Si Gate MOS Struktur, f; Polysilizium Gate MOS Struktur, f… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• silicon floating-gate MOS process — MOP darinių su plūdriosiomis silicio užtūromis technologija statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. silicon floating gate MOS process vok. MOS Technik mit schwebendem Siliziumgate, f rus. технология МОП структур с плавающими… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Poly-Si-Gate-MOS-Struktur — MOP darinys su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycrystalline silicon gate MOS; polycrystalline silicon gate MOS structure vok. Poly Si Gate MOS Struktur, f; Polysilizium Gate MOS Struktur, f… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• Polysilizium-Gate-MOS-Struktur — MOP darinys su polikristalinio silicio užtūra statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. polycrystalline silicon gate MOS; polycrystalline silicon gate MOS structure vok. Poly Si Gate MOS Struktur, f; Polysilizium Gate MOS Struktur, f… …   Radioelektronikos terminų žodynas

• isolated silicon-gate CMOS — jungtinis MOP darinys su izoliuotomis silicio užtūromis statusas T sritis radioelektronika atitikmenys: angl. isolated silicon gate CMOS; isolated silicon gate CMOS structure vok. CMOS IC mit isoliertem Gate, n; komplementärer MOS Schaltkreis mit …   Radioelektronikos terminų žodynas